发明名称 |
一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
摘要 |
一种氮化镓基发光二极管及其制作方法,涉及光电技术领域。本发明氮化镓基发光二极管包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在透明导电层上置有P型电极。其结构特点是,所述衬底底部开设孔直至N型GaN层,在所述孔内设有N型电极置于N型GaN层下底面。同现有技术相比,本发明通过在衬底底部开孔安置N型电极,减少发光区刻蚀损伤,增加发光区面积来提升光效。 |
申请公布号 |
CN104868029A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201410064890.2 |
申请日期 |
2014.02.26 |
申请人 |
南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
董发;李志翔;吴东海;詹润滋 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种氮化镓基发光二极管,它包括衬底(1)以及置于衬底(1)上方依次由N型GaN层(2)、发光层(3)、P型GaN层(4)和透明导电层(5)组成的发光结构,在透明导电层(5)上置有P型电极(6),其特征在于:所述衬底(1)底部开设孔直至N型GaN层(2),在所述孔内设有N型电极(7)置于N型GaN层(2)下底面。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |