LDMOS器件及其制作方法

摘要

本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法。该LDMOS器件包括：半导体衬底；设置于半导体衬底中的体区和漂移区；设置于半导体衬底上的栅极；设置于漂移区中的漏极；其中，漂移区还包括阻挡漂移区热载流子漂移的漂移阻挡部。本申请在漂移区设置的漂移阻挡部能阻挡热载流子向栅极方向漂移，不但能降低栅极下方的电场强度，而且使最强电场发生的位置向下移动从而远离栅极的栅氧化层。电场强度的降低，提高了漂移区的击穿电压、减少了碰撞电离的发生，即减少了热载流子产生的数量；又由于最强电场的位置下移，到达栅氧化层的距离增加，使实际作用于栅氧化层的热载流子数量减少，从而最终实现了阻碍热载流子作用的效果，提高了器件的可靠性。

主权项

一种LDMOS器件，包括：半导体衬底；设置于半导体衬底中的体区和漂移区；设置于所述半导体衬底上的栅极；设置于所述漂移区中的漏极；其特征在于，所述漂移区还包括阻挡所述漂移区热载流子漂移的漂移阻挡部。