发明名称 |
产生片内终结信号的电路和方法及使用它的半导体装置 |
摘要 |
本发明公开一种片内终结(ODT)信号发生电路的各个实施例。在一个示例性的实施例中,所述ODT信号发生电路可以包括潜伏时间单元和ODT控制信号发生单元。潜伏时间单元被配置为接收时钟信号和ODT信号。潜伏时间单元被配置为将ODT信号延迟预定时间来产生第一ODT信号。潜伏时间单元还被配置为将ODT信号延迟少于预定时间来产生第二ODT信号。ODT控制信号发生单元被配置为响应于控制信号而提供第一ODT信号和第二ODT信号中的一个作为ODT控制信号。 |
申请公布号 |
CN102446546B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201110029269.9 |
申请日期 |
2011.01.27 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
宋清基 |
分类号 |
G11C11/4193(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4193(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;张文 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:ODT信号发生单元,所述ODT信号发生单元被配置为在第一操作模式下将ODT信号延迟预定时间以提供被延迟了的信号作为ODT控制信号,并且在第二操作模式下将所述ODT信号延迟少于所述预定时间以提供被延迟了的信号作为所述ODT控制信号;以及数据选通驱动器,所述数据选通驱动器被配置为接收所述ODT控制信号以产生数据选通信号的前导码,其中,在所述第一操作模式下产生的前导码的脉冲宽度短于在所述第二操作模式下产生的前导码的脉冲宽度。 |
地址 |
韩国京畿道 |