发明名称 半导体装置的制造方法和半导体装置
摘要 本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置,其降低初始的泄漏电流的增加并提高了可靠性。进行树脂密封来制造半导体装置的半导体装置的制造方法的特征在于,该制造方法具备如下步骤:准备支撑板;将功率元件和控制元件载置于支撑板的主面上;以及将支撑板配置在树脂密封模具内,向模具内注入树脂而形成覆盖功率元件和控制元件的树脂密封体,在形成树脂密封体的步骤中,将多个半导体元件并列配置在支撑板上,在半导体元件数量少的列的一侧配置浇口。
申请公布号 CN104867839A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201410059961.X 申请日期 2014.02.21
申请人 三垦电气株式会社 发明人 板桥龙也;菊池由尚
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;金玲
主权项 一种半导体装置的制造方法,通过进行树脂密封来制造半导体装置,该半导体装置的制造方法的特征在于包括如下步骤:准备支撑板;将功率元件和控制元件载置于所述支撑板的主面上;以及将所述支撑板配置在树脂密封模具内,向该模具内注入树脂而形成覆盖所述功率元件和所述控制元件的树脂密封体,在形成所述树脂密封体的步骤中,将多个半导体元件并列地配置在支撑板上,在半导体元件的数量少的列的一侧配置浇口。
地址 日本埼玉县