发明名称 真空处理装置
摘要 本发明的目的在于,提供一种真空处理装置,该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送,能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中,有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗,这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下,设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中,CVD室(52)由卧式的装置构成,因而不会产生这样的问题。另外,通过将溅射装置构成为立式的处理装置,从而能够解决异常放电的问题。
申请公布号 CN102177577B 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN200980139868.7 申请日期 2009.10.07
申请人 株式会社爱发科 发明人 仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;浅利伸;斋藤一也;佐藤重光;菊池正志
分类号 H01L21/677(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/677(2006.01)I
代理机构 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 代理人 韩登营
主权项 一种真空处理装置,其特征在于,包括:能够维持真空状态且在使基片被置于水平的状态下对该基片进行CVD处理的卧式处理单元;能够维持真空状态且在使所述基片被置于竖立的状态下对该基片进行溅射处理的立式处理单元;能够维持真空状态且与所述卧式处理单元和所述立式处理单元连接、用于将所述基片的状态从水平状态变换为竖直状态或者从竖直状态变换为水平状态的变换室,在所述变换室与所述卧式处理单元之间以及所述变换室与所述立式处理单元之间分别设有闸阀。
地址 日本神奈川县