发明名称 |
具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯 |
摘要 |
具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯。一种功率晶体管管芯包括形成在半导体本体中的晶体管。该晶体管具有栅极端子、输出端子和第三端子。栅极端子控制输出端子和第三端子之间的导电通道。功率晶体管管芯进一步包括布置在半导体本体上并与该半导体本体绝缘的结构化的第一金属层。该结构化的第一金属层连接到晶体管的输出端子。功率晶体管管芯还包括布置在半导体本体上并与该半导体本体绝缘的第一接合焊盘。第一接合焊盘形成功率晶体管管芯的输出端子并电容耦合到结构化的第一金属层以便在晶体管的输出端子和第一接合焊盘之间形成串联电容。还提供了一种包括该功率晶体管管芯的功率半导体封装。 |
申请公布号 |
CN104867893A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510084864.0 |
申请日期 |
2015.02.17 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
A.比尔纳;H.布雷希;S.格尔;R.威尔逊;M.齐格尔德伦 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
蒋骏;胡莉莉 |
主权项 |
一种功率晶体管管芯,包括:形成在半导体本体中的晶体管,所述晶体管包括栅极端子、输出端子和第三端子,所述栅极端子控制所述输出端子和所述第三端子之间的导电通道;布置在所述半导体本体上并与所述半导体本体绝缘的结构化的第一金属层,所述结构化的第一金属层连接到所述晶体管的所述输出端子;和布置在所述半导体本体上并与所述半导体本体绝缘的第一接合焊盘,所述第一接合焊盘形成所述功率晶体管管芯的输出端子并电容耦合到所述结构化的第一金属层以便在所述晶体管的所述输出端子和所述第一接合焊盘之间形成串联电容。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |