发明名称 | 低损伤植入型神经电极 | ||
摘要 | 一种低损伤植入型神经电极,包括基座部、连接部和柄部,所述的基座部和连接部之间连接柔顺铰链,所述的柄部的一端与所述的连接部相连。本发明基座部基于柔顺机构设计理论,增强电极与脑组织界面耦合程度,可多自由度减少电极与神经组织长期接触微动损伤;柄部前端采用半圆角设计进一步减少微动损伤;在电极外部设计具有外凸流线型可降解涂层,减少电极植入损伤。本发明电极植入外形与微动工作状态外形互不干涉、电极植入时急性损伤更小、长期工作时能在多个方向上减少微动损伤,多方面融合减轻对神经细胞的损伤,可提高微电极的可靠性,使神经电极能够长期稳定的在体内留置。 | ||
申请公布号 | CN104857630A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
申请号 | CN201510231111.8 | 申请日期 | 2015.05.08 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 张文光;马亚坤;李正伟 |
分类号 | A61N1/05(2006.01)I | 主分类号 | A61N1/05(2006.01)I |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张宁展 |
主权项 | 一种低损伤植入型神经电极,其特征在于,包括基座部、连接部和柄部,所述的基座部和连接部之间连接柔顺铰链,所述的柄部的一端与所述的连接部相连。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |