高いダイ破断強度及び清浄な側壁のためのレーザスクライビング及びプラズマエッチング

摘要

実施形態では、初めのレーザスクライブと、後続のプラズマエッチングを含むハイブリッドなウェハ又は基板のダイシングプロセスは、ダイの個片化のために実施される。レーザスクライブプロセスは、マスク層、有機・無機誘電体層、及びデバイス層をきれいに除去するために使用することができる。その後、レーザエッチングプロセスは、ウェハ又は基板の露出又は部分的なエッチング時に終了することができる。実施形態では、マルチプラズマエッチング法が、ウェハをダイシングするために使用され、ここで等方性エッチングは、異方性エッチングに続いてダイの側壁を改善するために使用される。等方性エッチングは、ダイの個片化の後に異方性エッチングされたダイの側壁から、異方性エッチングの副生成物、粗さ、及び／又はスカラップを除去する。