发明名称 于基于氢气之化学物中的高剂量植入剥离法
摘要
申请公布号 TWI497235 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW097146496 申请日期 2008.11.28
申请人 诺菲勒斯系统公司 发明人 哈希罗 亨利 高托;大卫 章
分类号 G03F7/42;H01L21/3065 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种在一反应室中自一工件表面移除材料之方法,该方法包括:将一包括分子氢、一弱氧化剂及一含氟气体之气体引入至一电浆源中;自该被引入至该电浆源中之气体产生一基于氢(hydrogen-based)之电浆;及在该电浆源下游及该工件上游,引入一惰性气体,其中该包括分子氢、该弱氧化剂及该含氟气体之气体与该惰性气体一起流动至该工件,并与来自该工件之该材料反应,其中被引入至该电浆源中之该气体包括体积在约0.1%至约10%之间之该弱氧化剂,且其中被引入至该电浆源中之该气体包括体积在约0.1%至约3%之间之该含氟气体。
地址 美国