| 摘要 |
<p>Halbleiterkörper mit einer Schutzstruktur, bei der die Schutzstruktur (10)–einen ersten und einen zweiten Bereich (11, 12), die einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen,–einen dritten Bereich (13), der einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, welcher dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, wobei der dritte Bereich (13) als eine erste Wanne und mit schwebendem Potential ausgebildet ist,–einen Isolator (14), der auf dem Halbleiterkörper (9) angeordnet ist, und–eine Elektrode (16), die auf dem Isolator (14) angeordnet ist und vollständig von isolierendem Material eingeschlossen ist, umfasst, wobei der erste und der zweite Bereich (11, 12) im dritten Bereich (13) beabstandet angeordnet sind, so dass ein Stromfluss vom ersten Bereich (11) zum zweiten Bereich (12) zum Begrenzen eines Spannungsunterschiedes zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich (11, 12) ermöglicht ist und der Halbleiterkörper (9)–eine zu schützende Struktur (24), die mit der Schutzstruktur (10) zum Schutz der zu schützenden Struktur (24) gekoppelt ist und einen Transistor (25) umfasst, und–eine tiefe Wanne (19), in welcher der dritte Bereich (13) und ein vierter Bereich (31) angeordnet sind, wobei der Transistor (25) im vierten Bereich (31) realisiert ist, umfasst.</p> |
