Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mehrere Halbleitervorrichtungen

摘要

Es wird eine Halbleitervorrichtung (10) beschrieben, mit einem Halbleiterkörper (3), der eine erste Kontaktschicht (1) an einer ersten Hauptfläche (11) und eine zweite Kontaktschicht (2) an einer zweiten Hauptfläche (12) aufweist. Der Halbleiterkörper (3) weist an der ersten Hauptfläche (11) eine Vertiefung (4) auf, die von zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) des Halbleiterkörpers (3) jeweils einen Abstand aufweist, wobei die erste Kontaktschicht (1) vollständig in der Vertiefung (4) angeordnet ist. Die zweite Kontaktschicht (2) weist von den einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) einen gleich großen oder größeren Abstand als die Vertiefung (4) auf. Weiterhin wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung (7, 8) auf mehrere Halbleitervorrichtungen (10a, 10b) beschrieben.