发明名称 |
单级比较器 |
摘要 |
本实用新型提供一种单级比较器,其包括第一电压端、第二电压端、第一输入端、第二输入端、输出端和单级比较单元。单级比较单元包括第一开关、第二开关和第三开关,第一电流源和第二电流源,反相器、电容和MOS管。第一电流源连接于第一电压端和MOS管的漏极之间,电容连接于MOS管的源极和第二电压端之间,第一开关连接于第二输入端和MOS管的栅极之间,第二开关连接于第一输入端和MOS管的栅极之间,第二电流源和第三开关依次连接于MOS管的源极和第二电源端之间。反相器的输入端与MOS管和第一电流源之间的连接节点相连,反相器的输出端与单级比较器的输出端相连。与现有技术相比,本实用新型可以减小由于器件失配导致的输入偏差对比较器翻转阈值的影响。 |
申请公布号 |
CN204578500U |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201520224931.X |
申请日期 |
2015.04.14 |
申请人 |
无锡中星微电子有限公司 |
发明人 |
王钊 |
分类号 |
H03K5/22(2006.01)I |
主分类号 |
H03K5/22(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
庞聪雅 |
主权项 |
一种单级比较器,其特征在于,其包括第一电压端、第二电压端、第一输入端、第二输入端、输出端和单级比较单元,所述单级比较单元用于比较第一输入端的电压和第二输入端的电压的大小,并输出表示相应比较结果的电平信号,所述单级比较单元包括第一开关、第二开关和第三开关,第一电流源和第二电流源,反相器、电容和MOS管,其中,第一电流源连接于第一电压端和MOS管的漏极之间,电容连接于MOS管的源极和第二电压端之间,第一开关连接于第二输入端和MOS管的栅极之间,第二开关连接于第一输入端和MOS管的栅极之间,第二电流源和第三开关依次连接于MOS管的源极和第二电源端之间,反相器的输入端与MOS管和第一电流源之间的连接节点相连,反相器的输出端作为所述单级比较单元的输出端与单级比较器的输出端相连。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 |