| 发明名称 | 高频功率放大器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明得到一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。在半导体基板(2)上各自分离地设置有多个晶体管单元(3)。多个测试用电极(4)与多个晶体管单元(3)分别单独地连接，并从外部向每个晶体管单元(3)独立地供给使对应的晶体管单元(3)单独地动作的电气信号和电力。由此，能够高效地进行高频老化试验。 | ||
| 申请公布号 | CN104852696A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510084662.6 | 申请日期 | 2015.02.16 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 佐藤邦宏;茶木伸;山崎贵嗣;吉冈贵章 |
| 分类号 | H03F3/20(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种高频功率放大器，其特征在于，具有：半导体基板；多个晶体管单元，它们各自分离地设置在所述半导体基板上；以及多个测试用电极，它们与所述多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个所述晶体管单元独立地供给使对应的所述晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||