具有MOTFET的像素化成像器和工艺

摘要

一种制造像素化成像器的方法，其包括：提供基板，该基板具有底部接触层和接触层上的感测元件覆盖层。用沟槽将覆盖层分成感测元件的阵列，沟槽将相邻的感测元件隔离。感测元件电极与各感测元件相邻地形成，上覆于沟槽并且限定TFT。在上覆电极的电介质层上和限定与各TFT相邻的感测元件的覆盖层被暴露的上表面上，形成金属氧化物半导体(MOS)材料层。在各TFT上沉积金属层，并且将金属层分成在感测元件电极的相对侧上的源/漏电极。用于形成S/D电极之一的金属与上覆于所述半导体层的被暴露表面的MOS材料相接触，由此，阵列中的各感测元件通过MOS材料电连接到相邻的TFT。

主权项

一种制造像素化成像器的方法，所述方法包括以下步骤：提供基板，所述基板具有底部接触层和在所述底部接触层上沉积或生长的感测元件覆盖层；用沟槽将所述感测元件覆盖层分成感测元件的阵列，所述沟槽将所述阵列中的相邻感测元件隔离；形成与所述阵列中的各感测元件相邻的栅电极，各栅电极上覆于隔离沟槽并且限定薄膜晶体管(TFT)；在上覆于各TFT的所述栅电极的栅电介质层上以及在限定与各TFT相邻的所述感测元件的所述感测元件覆盖层被暴露的上表面上，形成金属氧化物半导体材料层；并且在包围所述栅电极的区域的上方的各TFT的所述金属氧化物半导体材料层上沉积源/漏金属层，并且将所述源/漏金属层分成在所述栅电极的相对侧上的S/D电极，用于形成所述S/D电极中的一个的金属与上覆于相邻感测元件的所述感测元件覆盖层的所述被暴露的上表面上的所述金属氧化物半导体材料形成电接触，由此，所述阵列中的各感测元件通过所述金属氧化物半导体材料被电连接到相邻的TFT。