发明名称 闪存的擦除电压上升控制电路
摘要 本发明公开一种闪存的擦除电压上升控制电路,至少包含:用于产生擦除电压的电荷泵;对该擦除电压进行取样的取样电路;用于产生占空比可控脉冲的可控占空比脉冲产生电路;连接于一供电电压与该可控占空比脉冲产生电路,以在该可控占空比脉冲产生电路控制下产生一基准电压的基准电压产生电路;连接于与该基准电压产生电路与地之间的第一电容;以及对该取样电压与该基准电压进行比较以产生一反馈信号至该电荷泵的比较电路,由于本发明的基准电流与充电电流不由电荷泵的高压输出产生,不会对电荷泵的输出产生额外的电流负载,也不会有电压损失,擦除电压的上升时间也更为准确。
申请公布号 CN102097129B 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201110061741.7 申请日期 2011.03.15
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 杨光军
分类号 G11C16/06(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种闪存的擦除电压上升控制电路,至少包括:电荷泵,用于产生擦除电压;取样电路,连接于该电荷泵输出端,用于对该擦除电压进行取样,输出取样电压;可控占空比脉冲产生电路,用于产生占空比可控的脉冲;基准电压产生电路,连接于一供电电压与该可控占空比脉冲产生电路,以在该可控占空比脉冲产生电路控制下产生一基准电压;第一电容,连接于与该基准电压产生电路与地之间;以及比较电路,接收该取样电压与该基准电压,以对该取样电压与该基准电压进行比较以产生一反馈信号至该电荷泵,以控制该电荷泵工作;该基准电压产生电路包括一电阻以及源漏相连的第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管,该第一PMOS晶体管源极接该供电电压,栅极与该可控占空比脉冲产生电路相连,该第二PMOS晶体管漏极分别通过该电阻与该电容接地,且该第二PMOS晶体管漏极还连接至该比较电路。
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