发明名称 |
一种利用电场写入数据的四态磁存储单元 |
摘要 |
本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括:第一电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上;第二电极层,所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上;磁性记录层,所述磁记录层形成于所述第二电极层上,所述磁性记录层的平面具有4重对称性,用于进行磁性记录,所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用;以及保护层,所述保护层设置于所述磁性记录层上,以保护所述磁性记录层。与现有技术相比,本发明对磁性记录层的形状各向异性与排列做了优化,使得磁性记录层的磁化强度在外加电压的作用下的翻转方向可以被控制,磁化强度的四种状态都可以通过外加电压进行写入,从而实现4进制数据存储。 |
申请公布号 |
CN104851973A |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201410056622.6 |
申请日期 |
2014.02.19 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
南策文;王建军;李峥;胡嘉冕;冯明;马静;陈龙庆;林元华;沈洋 |
分类号 |
H01L43/02(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅;王春霞 |
主权项 |
一种利用电场写入数据的四态磁存储单元,其包括:第一电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上;第二电极层,所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上;磁性记录层,所述磁记录层形成于所述第二电极层上,所述磁性记录层的平面具有4重对称性,用于进行磁性记录,所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用;以及保护层,所述保护层设置于所述磁性记录层上,以保护所述磁性记录层。 |
地址 |
100084 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |