| 发明名称 | 介质层缺陷的检测方法和检测装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种介质层缺陷的检测方法和检测装置。其中，该方法包括：获取MOSFET的一个或多个特性参数的第一参数值，其中，MOSFET的栅极包括待测介质层；在待测介质层的外侧与MOSFET的源极或漏极之间加载预设电压，其中，加载预设电压的持续时间为预设时长；获取在执行加载操作后的一个或多个特性参数的第二参数值；根据第一参数值与第二参数值判断待测介质层的缺陷程度。本发明解决了现有技术无法检测芯片介质层中的缺陷的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104851818A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201410052303.8 | 申请日期 | 2014.02.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩;冯军宏 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 江舟;吴贵明 |
| 主权项 | 一种介质层缺陷的检测方法，其特征在于，包括：获取MOSFET的一个或多个特性参数的第一参数值，其中，所述MOSFET的栅极包括待测介质层；在所述待测介质层的外侧与所述MOSFET的源极或漏极之间加载预设电压，其中，加载所述预设电压的持续时间为预设时长；获取在执行所述加载操作后的所述一个或多个特性参数的第二参数值；根据所述第一参数值与所述第二参数值判断所述待测介质层的缺陷程度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||