一种刻蚀控制方法

摘要

本发明提供了一种刻蚀控制方法，设置了套刻精度和高级工艺流程控制的相关参数之间的对应关系后，该方法首先测量光刻后晶片的当前层上光刻图案的套刻精度，将所得的套刻精度发送到刻蚀机台，由刻蚀机台根据套刻精度得到刻蚀步骤中高级工艺流程控制的相关参数，以光刻图案为掩膜，按照调整后的相关参数刻蚀当前层，改变刻蚀形成的半导体器件结构的形状，改善因OVL造成的半导体器件失效，扩大工艺窗口和提高产品良率。

主权项

一种刻蚀控制方法，设置套刻精度和高级工艺流程控制的相关参数之间的对应关系，所述套刻精度超出误差容忍度；提供具有前层的晶片，所述晶片器件面沉积介质层作为当前层，所述当前层上具有在光刻机台中光刻形成的光刻图案，该方法还包括：测量所述光刻图案与所述前层之间的套刻精度；刻蚀机台接收所述套刻精度后，按照所述对应关系由所述套刻精度获得对应的高级工艺流程控制的相关参数；所述刻蚀机台按照所述高级工艺流程控制的相关参数，以所述光刻图案为掩膜刻蚀所述当前层得到半导体器件结构，以改变刻蚀形成的所述半导体器件结构的形状。