发明名称 电子部件用金属材料及其制备方法
摘要 本发明提供具有低插拔性、低晶须性和高耐久性的电子部件用金属材料及其制备方法。一种电子部件用金属材料10,所述金属材料具备基材11、A层14和B层13,所述A层14构成基材11的最表层,由Sn、In或它们的合金形成,所述B层13设置于基材11与A层14之间,构成中间层,由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成,最表层(A层)14的厚度为0.002~0.2μm,中间层(B层)13的厚度为0.001~0.3μm。
申请公布号 CN103814158A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201280045596.6 申请日期 2012.09.10
申请人 JX日矿日石金属株式会社 发明人 涩谷义孝;深町一彦;儿玉笃志
分类号 C25D7/00(2006.01)I;B32B15/01(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;C22C5/02(2006.01)I;C22C5/04(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C22C5/08(2006.01)I;C22C5/10(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/06(2006.01)I;C22C13/00(2006.01)I;C22C19/03(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;C22C22/00(2006.01)I;C22C27/06(2006.01)I;C22C30/06(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;H01R13/03(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I 主分类号 C25D7/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 童春媛;孟慧岚
主权项  一种具有低晶须性和高耐久性的电子部件用金属材料,其具备:基材,构成所述基材的最表层,由Sn、In或它们的合金形成的A层,和设置于所述基材与A层之间,构成中间层,由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成的B层,所述最表层(A层)的厚度为0.002~0.2μm,所述中间层(B层)的厚度为0.001~0.3μm。
地址 日本东京都