| 发明名称 | 一种锗硅硼外延层生长方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种锗硅硼外延层生长方法。在TMAH蚀刻工艺之后，首先在沟槽侧壁和缺陷表面上选择性外延生长SiGe层。接下来，使用HCl气体蚀刻掉该SiGe层以及多晶硅栅上的缺陷。然后在沟槽内选择性外延生长SiGeB层，填充硅衬底的沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN104851783A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201410051888.1 | 申请日期 | 2014.02.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 涂火金 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 邢德杰 |
| 主权项 | 一种锗硅硼外延层生长方法，所述方法包括：在TMAH蚀刻工艺之后，在沟槽侧壁和缺陷表面上选择性外延生长第一SiGe层；使用HCl气体蚀刻掉所述第一SiGe层以及多晶硅栅上的缺陷；以及在沟槽内选择性外延生长SiGeB层，填充硅衬底的沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||