与高压垂直晶体管集成的感测FET

摘要

公开了与高压垂直晶体管集成的感测FET。在一个实施例中，半导体器件包括主垂直场效应晶体管(FET)和感测FET。主垂直FET和感测FET都形成在半导体材料柱上。两者共享形成在衬底之上的柱中的延伸漏极区，并且第一和第二栅极元件形成在柱的相对侧的电介质中。主垂直FET和感测FET沿第一横向分开并且电隔离。在操作中，感测FET采样在主垂直FET中流动的电流的小部分。要强调的是，提供该摘要是为了遵守需要摘要的规定以使得检索者或其他读者迅速确定本技术公开的主题。

主权项

一种半导体器件，包括：主垂直高电压场效应晶体管，其包括：第一导电类型的衬底；设置在衬底之上的半导体材料柱，所述柱具有沿横向延伸的长度，所述柱包括：i)第一源极区包括设置在所述柱的顶表面处或附近的第一导电类型的一个或多个区域和设置在所述柱的顶表面处或附近的第二导电类型的一个或多个区域的交替图案，所述第一和第二导电类型的区域被以交替方式设置使得所述第一导电类型的区域中的每个区域邻接所述第二导电类型的区域中的至少一个区域，ii)第二导电类型的本体区被设置在第一源极区和衬底之间的柱中，并且iii)第一导电类型的延伸漏极区被设置在本体区和衬底之间的柱中；分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域；分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件，所述第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与本体区分开；感测晶体管，被结合在所述半导体材料柱中，并且与所述主垂直晶体管共享所述第一和第二栅极元件以及所述延伸漏极区，其包括：设置在柱的顶表面处或附近的第一导电类型的第二源极区，第二源极区沿横向借助延伸到柱的顶表面的本体区的区域与包括第一源极区的第一和第二导电类型的区域的交替图案分开，其中所述本体区是轻掺杂本体区；其中感测晶体管用来采样在主垂直晶体管中流动的电流的小部分。