| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：形成氧化物有源层；在所述有源层上形成源漏电极，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。本发明中，将源漏电极直接形成在有源层之上，使得源漏电极直接与有源层接触，不需要形成刻蚀阻挡层，可以减少了一道mask工艺，降低了生产成本。另外，源漏电极采用透明导电材料，还可以提升使用该薄膜晶体管的阵列基板的开口率。进一步的，本发明实施例的薄膜晶体管可以缩短源漏电极之间的沟道，提高了薄膜晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104851910A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510172472.X | 申请日期 | 2015.04.13 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王珂 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成氧化物有源层；在所述有源层上形成源漏电极，其中，所述源漏电极与所述有源层直接接触，所述源漏电极采用透明导电材料形成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||