| 发明名称 | 一种薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池刻蚀技术领域，公开了薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置。该方法包括步骤S1.形成薄膜太阳能电池的步骤，所述薄膜太阳能电池包括玻璃基板、前电极、半导体层和背电极；步骤S2.采用波长为532nm的激光透过玻璃基板和前电极后对半导体层和背电极进行激光刻蚀。本发明可使薄膜太阳能电池既具有电池的发电功能又具有透光性，满足了光伏建筑一体系统的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN104842073A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201410053331.1 | 申请日期 | 2014.02.17 |
| 申请人 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 发明人 | 黄秋香;张峻诚;谢建;陈明金;陶尚辉;高云峰 |
| 分类号 | B23K26/362(2014.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | B23K26/362(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人 | 王昌贵 |
| 主权项 | 一种薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，步骤S1.形成薄膜太阳能电池的步骤，所述薄膜太阳能电池包括玻璃基板（1）、前电极（2）、半导体层（3）和背电极（4）；步骤S2.采用波长为532nm的激光透过玻璃基板（1）和前电极（2）后对半导体层（3）和背电极（4）进行激光刻蚀。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区高新技术园北区新西路9号 | ||