一种提高芯片去层次时均匀度的方法

摘要

本发明公开了一种提高芯片去层次时均匀度的方法，通过改变目标位置在研磨样品中的位置，采用将补偿芯片与失效芯片样品相组合拼接的方法，一起构成使失效芯片边缘的目标位置处于底座芯片研磨中心位置的研磨样品，以使失效芯片的目标位置区域与补偿芯片之间在研磨时产生相互补偿作用，可以快速、均匀地去除层次，并停留在相应的区域，从而提高失效芯片样品研磨后表面的平整度和均匀度，改善芯片边缘研磨不均匀、容易出现分层的问题，进而提高研磨质量和制样成功率以及工作效率。

主权项

一种提高芯片去层次时均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一待处理失效芯片及尺寸大于所述失效芯片的第一、第二底座芯片；步骤S02：将所述失效芯片的正面粘在所述第一底座芯片上，并使处于所述失效芯片边缘的目标位置靠向所述第一底座芯片的中心位置放置；步骤S03：提供至少一个补偿芯片，将所述补偿芯片的正面粘在所述失效芯片以外区域的所述第一底座芯片上；步骤S04：将所述补偿芯片和失效芯片的背面水平固定在所述第二底座芯片上；步骤S05：将所述第一底座芯片揭下，然后，通过研磨去除所述第二底座芯片及与其固定的补偿芯片和失效芯片的多余尺寸，并对所述第二底座芯片进行减薄；步骤S06：通过研磨将所述失效芯片的正面去层次至目标位置。