发明名称 |
光电传感器 |
摘要 |
本公开的一些实施例涉及具有实现在单个硅集成芯片上的硅波导的红外(IR)光电传感器。IR传感器具有半导体衬底,所述半导体衬底具有沿着辐射输入导管与辐射输出导管之间的长度延伸的硅波导。辐射输入导管将辐射耦合到硅波导中,而辐射输出导管将辐射从硅波导耦合出。硅波导以单模将IR辐射从辐射输入导管运送到辐射输出导管。当辐射由硅波导运送时,形成从硅波导向外延伸以与定位在辐射输入导管与辐射输出导管之间的样品相互作用的渐逝场。 |
申请公布号 |
CN104854443A |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201380056723.7 |
申请日期 |
2013.08.26 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
B.雅科比;V.M.拉夫奇夫;T.格里勒;P.伊尔西格勒;S.斯古里迪斯;U.黑德尼希;T.奥斯特曼 |
分类号 |
G01N21/552(2014.01)I;G01N21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/552(2014.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
蒋骏;徐红燕 |
主权项 |
一种红外光电(IR)传感器,包括:半导体衬底,其包括沿着辐射输入导管与辐射输出导管之间的长度延伸的硅波导,所述辐射输入导管被配置成将辐射耦合到硅波导中,而所述辐射输出导管被配置成将辐射从硅波导耦合,其中,硅波导被配置成以单模将辐射从辐射输入导管运送到辐射输出导管,以形成从硅波导向外延伸以与样品相互作用的渐逝场。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |