发明名称 |
内连线结构及其制造方法;AN INTERCONNECTION STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME |
摘要 |
本揭露提供一种内连线结构及其制造方法。此内连线结构包含一导电插塞于一基材上;一导电元件于此导电插塞上,其中此导电元件具有一第一侧壁、一面对此第一侧壁之第二侧壁及一底面;以及一含碳阻障层,其具有一第一部分、一第二部分及一第三部分,此第一部分沿着此导电元件之此第一侧壁,此第二部分沿着此导电元件之此第二侧壁,此第三部分沿着此导电元件之此底面。; a conductive feature over the conductive plug, wherein the conductive feature has a first sidewall, a second sidewall facing the first sidewall, and a bottom surface; and a carbon-containing barrier layer having a first portion along the first sidewall of the conductive feature, a second portion along the second sidewall of the conductive feature, and a third portion along the bottom surface of the conductive feature. |
申请公布号 |
TW201532236 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
申请号 |
TW103124696 |
申请日期 |
2014.07.18 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
林睿哲 LIN, RUEIJER;李亚莲 LEE, YA LIEN;林俊杰 LIN, CHUN CHIEH;苏鸿文 SU, HUNG WEN |
分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |