气密晶圆级封装方法及由其方法所制成的气密晶圆级封装结构

摘要

气密晶圆级封装方法包含：(a)于封盖晶圆的第一表面形成数个环形垫及数个由各环形垫围绕的接合垫，各接合垫内形成有一分别由一内环面所定义的凹槽；(b)于封盖晶圆的第一表面侧形成阻障层；(c)在阻障层上形成由非晶矽或非晶锗所构成的第一接合层；(d)藉第一接合层与元件晶圆之第一表面上的图案化第二接合层共晶接合，元件晶圆之第一表面具有一与部分图案化第二接合层电连接的电子元件；(e)自相反于封盖晶圆之第一表面的第二表面局部移除封盖晶圆以定义出外表面并使各凹槽对应形成穿孔；及(f)于封盖晶圆的外表面之各穿孔处覆盖金属导电层以电连接于图案化第二接合层。