基板加工方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明是以提供一种可一面使堆积膜残存至构成通孔(Through Hole)或贯孔(Via Hole)等之凹部的底部、侧壁部及上端部，且一面在凹部内充分地埋入材料之基板加工方法及半导体装置的制造方法为目的。;本发明之一实施形态的基板加工方法系具有：第1照射工程，其系对形成于基板的凹部的开口部的堆积膜，由第1角度的方向来对基板面内方向照射粒子束，而除去堆积膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其系于第1照射工程之后，由对于基板面内方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向来照射粒子束，而除去残存的堆积膜的厚度方向的一部分。