发明名称 半导体聚合物
摘要 本发明涉及包含基于苯并二呋喃、苯并二吡咯或苯并二噻吩的重复单元的新型聚合物、单体及它们的制备方法,它们在有机电子(OE)器件、尤其是有机光伏(OPV)器件中作为半导体的用途,以及涉及包含这些聚合物的OE和OPV器件。
申请公布号 CN103025788B 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201180033758.X 申请日期 2011.06.14
申请人 默克专利股份有限公司 发明人 N·布劳因;S·蒂尔奈;W·米切尔;M·卡拉斯克-奥拉斯克;F·E·迈耶
分类号 C08G61/12(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 邓毅
主权项 包含一种或多种相同或不同的下式的重复单元的聚合物<img file="FDA0000690107220000011.GIF" wi="770" he="378" />其中星号表示与相邻基团的连接,X是O、S或NR<sup>x</sup>,R每次出现时相同或不同地是H、F、Cl、Br、I、CN,或具有1-35个C原子的直链、支化或环状的烷基,其中一个或多个不相邻的C原子任选被‑O‑、‑S‑、‑CO‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑O‑CO‑O‑、‑CR<sup>0</sup>=CR<sup>00</sup>‑或‑C≡C‑代替并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替,或者表示未取代的或被一个或多个非芳族基团R<sup>1</sup>取代的具有4-30个环原子的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳氧基羰基或杂芳氧基羰基,R<sup>x</sup>每次出现时相同或不同地是具有1-30个C原子的直链、支化或环状烷基,其中一个或多个不相邻的C原子任选被‑O‑、‑S‑、‑CO‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑O‑CO‑O‑、‑CR<sup>0</sup>=CR<sup>00</sup>‑或‑C≡C‑代替并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替,R<sup>0</sup>和R<sup>00</sup>彼此独立地是H或任选取代的碳基,其任选包含一个或多个杂原子,R<sup>1</sup>每次出现时相同或不同地是H、卤素、‑CN、‑NCO、‑NCS、‑OCN、‑SCN、‑C(=O)NR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>、‑C(=O)X<sup>0</sup>、‑C(=O)R<sup>0</sup>、‑NR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>、‑SR<sup>0</sup>、‑SO<sub>3</sub>H、‑SO<sub>2</sub>R<sup>0</sup>、‑OH、‑NO<sub>2</sub>、‑CF<sub>3</sub>、‑SF<sub>5</sub>,任选取代的甲硅烷基,任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1-40个C原子的碳基,或者P‑Sp‑,P是可聚合或可交联基团,Sp是间隔基团或单键,X<sup>0</sup>是卤素,以及Ar<sup>1</sup>和Ar<sup>2</sup>彼此独立地是任选取代的芳基或杂芳基。
地址 德国达姆施塔特
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