| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成低k层间介电层和位于所述低k层间介电层中的金属互连结构；采用硅烷和含硼化合物的混合气体处理所述金属互连结构的顶面，以形成第一金属化合物覆盖层；采用氮气或者氨气处理所述第一金属化合物覆盖层，以形成第二金属化合物覆盖层；在所述低k层间介电层和所述金属化合物覆盖层上形成电介质覆盖层。根据本发明，在形成的金属化合物覆盖层中引入硼原子，可以阻挡硅原子向金属连线中的扩散，为器件提供较低的线电阻和良好的电迁移性能，进而提高器件的可靠性，同时使金属化合物覆盖层的抗氧性得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104835777A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410045903.1 | 申请日期 | 2014.02.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低k层间介电层和位于所述低k层间介电层中的金属互连结构；采用硅烷和含硼化合物的混合气体处理所述金属互连结构的顶面，以形成第一金属化合物覆盖层；采用氮气或者氨气处理所述第一金属化合物覆盖层，以形成第二金属化合物覆盖层；在所述低k层间介电层和所述第二金属化合物覆盖层上形成电介质覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||