一种半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述制作方法包括：步骤一、提供半导体衬底；步骤二、在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构；步骤三、引入第一气体源处理所述铜互连结构和所述低k介电层的表面，以形成高分子量聚合物层；步骤四、引入第二气体源处理所述高分子量聚合物层，以形成界面层；步骤五、交替重复步骤三和步骤四，直到所述界面层的厚度达到预定值；步骤六、在所述界面层上沉积形成电介质覆盖层。根据本发明，能够改善Cu/介质覆盖层界面特性，以改善电迁移特性，进而提高器件的可靠性和良品率。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：步骤一、提供半导体衬底；步骤二、在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构；步骤三、引入第一气体源处理所述铜互连结构和所述低k介电层的表面，以形成高分子量聚合物层；步骤四、引入第二气体源处理所述高分子量聚合物层，以形成界面层；步骤五、交替重复步骤三和步骤四，直到所述界面层的厚度达到预定值；步骤六、在所述界面层上沉积形成电介质覆盖层。