| 发明名称 | 保护膜形成用膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。 | ||
| 申请公布号 | CN104838490A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201380063148.3 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 高野健;篠田智则;吾妻佑一郎 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;B32B27/30(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王利波 |
| 主权项 | 一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||