发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 <p>본 개시는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 적어도 하나의 제1 개구, 및 복수의 제2 개구가 형성된 절연성 반사층; 절연성 반사층의 상면에서 폐루프(closed loop) 형상을 가지며, 적어도 하나의 제1 개구를 통해 제1 반도체층에 전자를 공급하는 제1 연결 전극; 절연성 반사층의 상면에서 폐루프 형상을 가지는 외측 제2 연결 전극;으로서, 외측 제2 연결 전극의 폐루프 내측에 제1 연결 전극이 위치하며, 복수의 제2 개구 중 적어도 하나의 제2 개구를 통해 제2 반도체층에 정공을 공급하는 외측 제2 연결 전극; 제1 연결 전극의 폐루프 내측에 형성되어 제2 반도체층에 정공을 공급하는 전기적 연결;로서, 제1 연결 전극의 폐루프 내측에 위치하는 다른 적어도 하나의 제2 개구에 형성되며, 절연성 반사층의 상면에서는 외측 제2 연결 전극과 분리된 전기적 연결; 제1 연결 전극과 전기적으로 연결된 제1 전극; 그리고 외측 제2 연결 전극, 및 전기적 연결과 전기적으로 연결된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR101544128(B1) 申请公布日期 2015.08.12
申请号 KR20130121308 申请日期 2013.10.11
申请人 发明人
分类号 H01L33/36;H01L33/38 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项
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