宽范围磁性传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及宽范围磁性传感器及其制造方法。一种磁性传感器由集成在同一集成设备中的磁通门传感器和至少一个霍尔传感器形成，其中磁通门传感器的磁芯由磁性区域形成，该磁性区域也操作为用于霍尔传感器的集中器。磁性区域在后置加工阶段中制造在金属化层上，其中磁通门传感器的激励线圈和感测线圈被形成；激励和感测线圈形成在容纳霍尔传感器的导电区域的半导体衬底上。

主权项

一种磁性传感器，包括磁通门传感器(11)和霍尔传感器(12)，其特征在于所述磁通门传感器(11)形成在绝缘层(20)中，所述绝缘层覆盖在容纳霍尔传感器(12)的半导体材料的本体(14)上，所述磁通门传感器与所述霍尔传感器垂直地对齐并且集成在同一芯片(100)中，所述磁通门传感器包括既形成所述磁通门传感器的磁芯又形成所述霍尔传感器的集中器的磁性区域，并且所述磁性区域作为集中器，其中磁通门传感器(11)包括形成在绝缘层(20)中的激励线圈(23)、至少一个感测线圈(22a，22b)和磁芯(13)，其中所述磁性区域(13)在所述绝缘层上延展，在所述激励线圈(23)、所述感测线圈(22a，22b)和容纳在所述本体中的导电区域(19)的上方，其中所述磁性区域(13)具有伸长结构，该伸长结构具有第一和第二端部，所述磁通门传感器(11)包括第一和第二感测线圈(22a，22b)，以及所述霍尔传感器(12)包括第一和第二霍尔效应单元(12a，12b)，所述第一感测线圈和所述第一霍尔效应单元垂直地被布置在所述第一端部下，并且所述第二感测线圈和所述第二霍尔效应单元垂直地被布置在所述第二端部下。