单片式集成RF系统及其制造方法

摘要

本发明涉及射频系统(250)，其包含第一子组合件(100)及第二子组合件(200)，所述子组合件各自由安置于衬底(102、202)上且布置成堆叠的多个导电材料层形成。所述堆叠层形成信号处理组件(108、110、208、210)及环绕每一衬底的带壁区域(118、218)的至少一个外围壁(104、204)。所述第二子组合件定位于所述第一子组合件上，其中第一衬底的第一带壁区域与第二衬底的第二带壁区域对准。

主权项

一种用于构造RF装置的方法，其包括：通过以下操作形成第一子组合件首先在第一衬底的第一表面上沉积包含至少一个层的第一多个层，所述第一多个层各自为导电材料及牺牲材料；以及首先控制所述第一多个层的所述沉积以在所述第一表面上形成至少第一外围壁，其环绕所述第一衬底的第一带壁区域，所述第一外围壁远离所述第一表面延伸预定距离以形成第一突沿，以及至少一个第一信号处理组件，其安置于所述第一衬底的所述第一表面上在所述带壁区域内；通过以下操作形成第二子组合件其次在第二衬底的第二表面上沉积包含至少一个层的第二多个层，所述第二多个层各自为所述导电材料及所述牺牲材料；以及其次控制所述第二多个层的所述沉积以在所述第二表面上在第二带壁区域内形成至少一个第二信号处理组件；以及将所述第二子组合件定位于所述第一子组合件上，其中所述第一带壁区域与所述第二带壁区域对准。