发明名称 | 在热绝缘管芯上的原子源与加热器 | ||
摘要 | 本发明公开了在热绝缘管芯上的原子源与加热器。在一个实施例中,提供了一种芯片级原子传感器。芯片级原子传感器包括主体,其限定了至少一个感测腔。主体包括安装到主体的热绝缘管芯。该热绝缘管芯设置在与至少一个感测腔连通的位置中。热绝缘管芯包括基底,其限定了框架部和绝缘部以及将基底的绝缘部机械地联接到框架部的多个连系部。热绝缘管芯还包括安装在基底的绝缘部上的原子源和安装在绝缘部上且构造为加热原子源的加热元件。 | ||
申请公布号 | CN104833455A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
申请号 | CN201510071166.7 | 申请日期 | 2015.02.11 |
申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | R.坎普顿 |
分类号 | G01L11/02(2006.01)I | 主分类号 | G01L11/02(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周春梅;傅永霄 |
主权项 | 一种芯片级原子传感器(100、200),其包括:主体(102、202),其限定了至少一个感测腔(103、203、205);热绝缘管芯(112、212、213、300),其安装到所述主体(102、202),所述热绝缘管芯(112、212、213、300)设置在与所述至少一个感测腔(103、203、205)连通的位置中,所述热绝缘管芯(112、212、213、300)包括: 基底(302),其限定框架部(304)和绝缘部(306、406); 多个连系部(308),其将所述基底(302)的所述绝缘部(306、406)机械地联接到所述框架部(304); 原子源(110、210、211、310、410),其安装在所述基底(302)的所述绝缘部(306、406)上;以及 加热元件(312),其位于所述绝缘部(306、406)上且构造为加热所述原子源(110、210、211、310、410)。 | ||
地址 | 美国新泽西州 |