发明名称 |
一种高灵敏度水平霍尔盘 |
摘要 |
本发明涉及一种高灵敏度水平霍尔盘,包括霍尔阱,用于在磁场和电场中通过霍尔效应产生电荷的载体;电极,分别与霍尔阱连接,用于输入偏置电压,输出霍尔电压;底层衬底,设于霍尔阱的底部,用于与霍尔阱产生反向偏置PN结,从而产生用于隔离霍尔阱的耗尽区,避免漏电;有源接地环,用于向霍尔盘提供相对电势零点;内侧和外侧保护环,包绕在霍尔阱的周侧,用于隔离霍尔阱,避免漏电流,屏蔽外部干扰;顶层金属层,设于霍尔阱的顶部,用于隔离霍尔阱,屏蔽外部干扰,降低霍尔盘工作时产生的闪烁噪声。有益效果为:不仅具有高灵敏度和低温度效应等特性,同时还具有体积小、结构简单、工艺兼容性好、加工成品率高等优势。 |
申请公布号 |
CN104833377A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510263525.9 |
申请日期 |
2015.05.21 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
潘红兵;朱振铎;吕飞;张祯彦;李丽;何书专;李伟;沙金 |
分类号 |
G01D5/12(2006.01)I |
主分类号 |
G01D5/12(2006.01)I |
代理机构 |
南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 |
代理人 |
陈扬 |
主权项 |
一种高灵敏度水平霍尔盘,其特征在于包括霍尔阱,用于在磁场和电场中通过霍尔效应产生电荷的载体;电极,分别与霍尔阱连接,用于输入偏置电压,输出霍尔电压;底层衬底,设于霍尔阱的底部,用于与十字霍尔阱产生反向偏置PN结,从而产生用于隔离霍尔阱的耗尽区,避免漏电;有源接地环,用于向霍尔盘提供相对电势零点;内侧保护环和外侧保护环,由内至外依次包绕在霍尔阱的周侧,用于隔离霍尔阱,避免漏电流,屏蔽外部干扰;顶层金属层,设于霍尔阱的顶部,用于隔离霍尔阱,屏蔽外部干扰,降低霍尔盘工作时产生的闪烁噪声。 |
地址 |
210093 江苏省南京市汉口路22号南京大学蒙民伟楼612室 |