| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：半导体衬底；掺杂阱，其形成在所述半导体衬底中且具有第一导电类型；隔离结构，其在所述掺杂阱内横向地将所述掺杂阱划分为第一区和第二区；环形掺杂区，其形成在所述第一区的横向边缘且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及金属硅化物层，其形成在所述第一区对应的半导体衬底的表面上。本发明通过在有源区增加环形掺杂区，使得当施加反向偏压时在耗尽区形成了普通的PN结，该PN结将与肖特基二极管的结串联，因此，可以提高总的击穿电压。此外，还可以提高带带隧穿诱导的热电子效率，以有助于提高P型闪存的程序速度。 | ||
| 申请公布号 | CN104835854A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201410045880.4 | 申请日期 | 2014.02.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吕瑞霖;辜良智;李由 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；掺杂阱，其形成在所述半导体衬底中且具有第一导电类型；隔离结构，其在所述掺杂阱内横向地将所述掺杂阱划分为第一区和第二区；环形掺杂区，其形成在所述第一区的横向边缘且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及金属硅化物层，其形成在所述第一区对应的半导体衬底的表面上。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||