发明名称 电压开关电路
摘要 一种电压开关电路,该电压开关电路中利用低掺杂(Lightly Doped)PMOS晶体管来承受高电压应力,使得NMOS晶体管不会承受高电压应力,由于而低掺杂PMOS晶体管兼容于逻辑电路制程,因此电压开关电路可在逻辑电路制程下来完成。
申请公布号 CN103078618B 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201110329202.7 申请日期 2011.10.26
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 柏正豪;沈俊吉
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 史新宏
主权项 一种电压开关电路,包括:一输出电路,包括一第一PMOS晶体管,源极与衬底连接至一高电压源,漏极连接至该电压开关电路的反相输出端,栅极连接至该电压开关电路的输出端;以及,一第二PMOS晶体管,源极与衬底连接至该高电压源,漏极连接至该电压开关电路的输出端、栅极连接至该电压开关电路的反相输出端;一第一压降控制电路,包括一第三PMOS晶体管,衬底连接至该高电压源,源极连接至该反相输出端,漏极连接至一节点e,栅极连接至一参考电压源;以及,一第四PMOS晶体管,衬底连接至该高电压源,源极连接至该输出端,漏极连接至一节点f,栅极连接至该参考电压源;一第二压降控制电路,包括一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、一第一偏压控制电路与一第二偏压控制电路;其中,该第一NMOS晶体管的漏极连接至该节点e与该第一偏压控制电路的控制端,栅极连接至该第一偏压控制电路的输出端,衬底与源极连接至一节点c;以及,该第二NMOS晶体管,漏极连接至该节点f以及该第二偏压控制电路的控制端,栅极连接至该第二偏压控制电路的输出端,衬底与源极连接至一节点d;一第三压降控制电路,包括一第三NMOS晶体管,漏极连接至该节点c、栅极连接至一逻辑电压源、衬底与源极连接至一节点a;以及,一第四NMOS晶体管,漏极连接至该节点d、栅极连接至该逻辑电压源、衬底与源极连接至一节点b;以及一输入电路,包括一第五NMOS晶体管,一第六NMOS晶体管,一第三偏压控制电路,与一第四偏压控制电路;其中,该第五NMOS晶体管,漏极连接至该节点a以及该第三偏压控制电路的输出端,栅极连接至该电压开关电路的输入端,衬底与源极连接至一接地端;以及,第六NMOS晶体管,漏极连接至该节点b以及该第四偏压控制电路的输出端,栅极连接至该电压开关电路的反相输入端,衬底与源极连接至该接地端。
地址 中国台湾新竹市