| 发明名称 | 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As缓冲层，0.08<x<0.12；(5)GaAs薄膜的生长：在500～580℃的生长温度下生长GaAs薄膜。本发明还公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜，包括依次层叠的Si衬底、In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As缓冲层以及GaAs薄膜。本发明的制备方法简单，大为简化了缓冲层结构以及外延生长工艺，获得表面形貌好、残余应力低的GaAs外延薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104835718A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510129129.7 | 申请日期 | 2015.03.23 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;温雷;高芳亮;张曙光;李景灵;管云芳 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长：在300～450℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As缓冲层，0.08<x<0.12；(5)GaAs薄膜的生长：在500～580℃的生长温度下生长GaAs薄膜。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||