| 主权项 |
一种半导体功率元件，其包括：一具有第一导电类型掺杂物的半导体基材；一形成在基材上用第一导电类型掺杂物掺杂的外延半导体区，外延半导体区的掺杂浓度低于基材的掺杂浓度；一形成在外延半导体区中的沟槽；一形成在沟槽附近的外延半导体区中的本体区，其中，该本体区掺杂第二导电类型的掺杂物，第二导电类型与第一导电类型相反；一第一导电类型的源极区，其形成在沟槽附近，使本体区位于源极区和外延区之间，其中该源极区的掺杂浓度高于外延半导体区的掺杂浓度；一形成在沟槽底部的厚底部绝缘物；一导电闸极电极，其形成在厚底部绝缘物上方的沟槽中，其中闸极电极藉由厚底部绝缘物，与沟槽底部绝缘，并且藉由闸极绝缘物，与沟槽侧壁绝缘；以及一第一导电类型的感应净电荷区域，其在厚底部绝缘物和外延半导体区之间的交界面附近的厚底部绝缘物中；其中，该感应净电荷在厚底部绝缘物和外延半导体区之间的交界面处聚集浓度最大。 |
