FinFET Metal Gate and Gate Contact Structure for FinFET
摘要
<p>실시형태는, 기판의 부분이 상방으로 연장되어 핀을 형성하는 기판; 핀의 상면과 측벽 상의 게이트 유전체; 게이트 유전체 위에 놓인 라이너; 및 라이너-라이너의 부분은 게이트 유전체 위에 놓임-상의 연속된 금속 피쳐를 포함하고, 라이너는 연속된 금속 피쳐의 상면으로부터 연장되고 금속 피쳐의 측벽을 커버하고, 게이트 유전체, 라이너, 및 연속된 금속 피쳐는 총괄적으로 게이트, 게이트 콘택트 장벽, 및 게이트 콘택트를 형성한다.</p>
