发明名称 | 元件内埋式半导体封装件的制作方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI496243 | 申请公布日期 | 2015.08.11 |
申请号 | TW101119144 | 申请日期 | 2012.05.29 |
申请人 | 健鼎科技股份有限公司 | 发明人 | 藤川治;孙奇;杨中贤;杨伟雄 |
分类号 | H01L21/768;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
主权项 | 一种元件内埋式半导体封装件的制作方法,包括:提供一金属基板;形成一金属层于该金属基板上,其中该金属层包覆该金属基板,且该金属层具有彼此相对之一上表面与一下表面以及一连接该上表面与该下表面的第一侧表面;形成一第一图案化光阻层于该金属层上,其中该第一图案化光阻层暴露出该金属层的部分该上表面与部分该下表面;形成多个第一接垫于该第一图案化光阻层所暴露出之该金属层的该上表面与该下表面上,其中该第一图案化光阻层包覆各该第一接垫的一第二侧表面;移除该第一图案化光阻层,以暴露出该些第一接垫的该些第二侧表面;设置多个电子元件于该些第一接垫上;以及压合一绝缘层于该金属层上,其中该绝缘层覆盖该些电子元件、该些第一接垫以及部分该金属层。 | ||
地址 | 桃园市平镇区平镇工业区工业五路21号 |