| 主权项 |
一种光半导体装置用引线框架，其系于导电性基体上形成有由银或银合金构成之层者，其特征在于：上述由银或银合金构成之层合计含有20质量%以下的选自锡、铟、锑之群中之一种以上的元素；于上述由银或银合金构成之层之外层，具有选自由锡、铟、锑所组成之群中之一种以上的元素所构成之银以外之金属之金属氧化物层，该金属氧化物层为无色透明或呈银白色，且厚度为0.001μm以上、0.2μm以下；于上述由银或银合金构成之层与上述金属氧化物层之间形成缓冲层，该缓冲层含有由选自由锡、铟、锑所组成之群中之一种以上的元素所构成之上述银以外之金属与银，该缓冲层之银浓度为80%以上，上述由银或银合金构成之层与缓冲层之合计厚度为0.2μm以上、5.0μm以下。
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