发明名称 |
磁存储器件 |
摘要 |
本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。 |
申请公布号 |
CN102468425B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201110349182.X |
申请日期 |
2011.11.08 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金佑填;李将银;吴世忠;金英铉;崔锡宪;林佑昶 |
分类号 |
H01L43/02(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
屈玉华 |
主权项 |
一种磁存储器件,包括:基板;磁图案和参考图案,形成在所述基板上,所述参考图案包括具有取向固定的磁化的磁材料,并且所述磁图案的磁化可在第一状态与第二状态之间改变,在所述第一状态中所述磁图案的磁化方向与所述参考图案的磁化方向平行,在所述第二状态中所述磁图案的磁化方向与所述参考图案的磁化方向反平行;隧道势垒图案,插设在所述磁图案与所述参考图案之间,以及至少一个磁段,设置在所述磁图案中,其中所述磁段为磁化方向至少具有与垂直于所述磁图案的磁化方向的平面一致的分量的磁材料。 |
地址 |
韩国京畿道 |