发明名称 |
发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
摘要 |
一种发光元件,该发光元件在阳极与阴极之间具有EL层,并且在阴极与EL层之间具有第一层、第二层及第三层,其中,第一层设置在阴极与第二层之间并接触于阴极及第二层且由空穴传输物质及受主物质构成,第二层设置在第一层与第三层之间并接触于第一层及第三层且由酞菁类材料构成,第三层设置在第二层与EL层之间并接触于第二层及EL层且含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物。 |
申请公布号 |
CN102195002B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201110063135.9 |
申请日期 |
2011.03.08 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
能渡广美;濑尾哲史 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭辉 |
主权项 |
一种发光元件,包括:阳极与阴极之间的EL层;所述阴极与所述EL层之间的第一层,所述第一层含有具有空穴传输性的物质以及相对于所述具有空穴传输性的物质的受主物质;所述第一层与所述EL层之间的第二层,所述第二层含有酞菁类材料;以及所述第二层与所述EL层之间的第三层,所述第三层含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种。 |
地址 |
日本神奈川县 |