半导体器件及其形成方法

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件形成方法，包括：提供基底；所述基底表面依次形成有第一绝缘层、层间介质层以及至少两个贯穿所述层间介质层和第一绝缘层厚度的沟槽；向所述沟槽内填充导电材料形成金属线层；采用金属的自对准形成工艺形成覆盖所述金属线层的第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖部分靠近金属线层的层间介质层；以所述第一掩膜层为掩膜去除所述层间介质层和第一绝缘层，形成开口；去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述金属线层和层间介质层，并横跨所述开口的第二绝缘层。采用本发明实施例形成的半导体器件具有较大的空气间隙，降低了互连结构中的K值，降低了RC效应，提高了半导体集成电路的性能。

主权项

一种半导体器件形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层表面形成有层间介质层，以及至少两个贯穿所述层间介质层和第一绝缘层厚度的沟槽；向所述沟槽内填充导电材料形成金属线层；其特征在于，还包括：采用金属的自对准形成工艺形成覆盖所述金属线层的第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖部分靠近金属线层的层间介质层，所述第一掩膜层覆盖部分的层间介质层的宽度为5‑20nm；以所述第一掩膜层为掩膜去除所述层间介质层和第一绝缘层，形成开口，所述开口包括贯穿所述层间介质层厚度的第一子开口和位于所述第一子开口底部的第二子开口，所述第一子开口的口径小于所述第二子开口的口径，其中，所述第一子开口的口径设置为既不影响对所述第一绝缘层的刻蚀，又阻止了后续进行的沉积工艺中沉积材料进入所述开口；去除所述第一掩膜层，以沉积工艺形成覆盖所述金属线层和层间介质层，并横跨所述开口的第二绝缘层。