| 发明名称 | 微机电系统元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS元件及其制造方法。该MEMS元件为了抑制从配置有MEMS部的空间的内壁上产生气体，而将MEMS部配置于至少由氮化硅膜和硅膜构成的空间中，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104817052A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510053869.7 | 申请日期 | 2015.02.02 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 蝦名昭彦 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;苏萌萌 |
| 主权项 | 一种微机电系统元件，其中，在至少由氮化硅膜和硅膜构成的空间中配置有微机电系统部，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||