电路基板、半导体装置、电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

摘要

电路基板（1）中第一绝缘层（21）的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（A）为3ppm/℃～30ppm/℃。另外，第二绝缘层（23）的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（B）与第三绝缘层（25）的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（C）相等。（B）和（C）大于（A），（A）与（B）的差、（A）与（C）的差为5ppm/℃～35ppm/℃。

主权项

一种半导体装置，具有：电路基板部，和半导体芯片，层叠在该电路基板部上，从所述电路基板部的基板面侧观察是与所述电路基板部大致相同的尺寸；所述电路基板部，具备：第一绝缘层，贯通有导体，第一电路层，设置在所述第一绝缘层的一侧，与所述导体连接，第二绝缘层，覆盖所述第一电路层并且在所述第一电路层的一部分上形成有开口，第二电路层，设置在所述第一绝缘层的另一侧，与所述导体连接，第三绝缘层，覆盖所述第二电路层，焊料层，设置在所述第二绝缘层的开口内、且设置在所述第一电路层上；所述第一绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数A为3ppm/℃～30ppm/℃，所述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数B与所述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数C相等，所述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数B和所述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数C大于所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A，所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A与所述第二绝缘层的平均线膨胀系数B的差、所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A与所述第三绝缘层的平均线膨胀系数C的差为5ppm/℃～35ppm/℃，所述电路基板部的侧面和所述半导体芯片的侧面形成为同平面。