| 发明名称 | 氮化镓基发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种氮化镓基发光二极管，其为台阶结构，具有衬底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；n金属电极形成在所述n型GaN层上；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层。其中，所述p型GaN层的上表面形成有两排平行的反射层。 | ||
| 申请公布号 | CN102856457B | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201210351640.8 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 发明人 | 虞浩辉;周宇杭 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管，所述发光二极管为台阶结构，其由8层结构构成；8层结构的发光二极管具有衬底(201)，所述衬底(201)的下表面直接形成有金属反射层(200)；所述衬底(201)的上表面首先直接形成有GaN缓冲层(202)；GaN缓冲层(202)上直接形成n型GaN层(203)；n型GaN层(203)上直接形成多量子阱发光层(204)；多量子阱发光层(204)上直接形成p型AlGaN层(205)；p型AlGaN层(205)上直接形成p型GaN层(206)、p型GaN层(206)上直接形成透明电极层(207)；透明电极层(207)上直接形成p金属电极(212)；n金属电极(211)直接形成在所述n型GaN层(203)上；其特征在于：所述GaN缓冲层(202)的表面被粗化处理后形成第一表面纳米级锯齿状粗化层(222)；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面纳米级锯齿状粗化层(221)；所述氮化镓基发光二极管还形成有两排平行的反射层(232、231)；该反射层(232、231)仅设置在p型GaN层(206)中，并且反射层(232、231)的上表面与p型GaN层(206)的上表面齐平。 | ||
| 地址 | 213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 | ||